Bạn đang xem: Cas 15 vs cas 16 là gì
Nội dung
Tuy nhiên thực tiễn không buộc phải như vậy. Năng suất RAM còn phụ thuộc vào vào thông số kỹ thuật độ trễ (CL tuyệt CAS Latency) nữa. Ví dụ: nếu gồm hai thanh RAM bao gồm xung nhịp lần lượt là 2133MHz cùng 2400MHz thì chưa vững chắc cái bao gồm tần số cao hơn nữa đã cấp tốc hơn đâu.
Vậy CAS Latency của RAM là gì? Nó ảnh hưởng tới hiệu suất của RAM thế nào và làm nuốm nào để đánh giá đỗ trễ của RAM. Hãy cùng nội dung bài viết tìm phát âm nhé.
RAM Timings: CAS, RAS, t
RCD, t
RP, t
RAS
RAM Timings là gì?
Mặc dù tần số xung nhịp là thông số kỹ thuật được rất nhiều người vồ cập nhiều hơn. Mặc dù RAM Timings lại đóng vai trò đặc trưng trong hiệu năng tổng thể tương tự như độ định hình của RAM.
RAM Timings là độ trễ vốn tất cả mà RAM có thể chạm mặt phải trong khi tiến hành các chuyển động khác nhau. RAM Timing được đo bằng chu kỳ đồng hồ.
Bạn rất có thể nhìn thấy CLxx-xx-xx-xx cùng với xx là những con số trên nhãn dán của RAM. Đây là những số lượng thể hiện độ trễ của RAM.
CAS Latency
CAS Latency (CL) là viết tắt của Column Address Strobe Latency, tức là độ trễ trong chu kỳ đồng hồ đeo tay giữa lệnh READ với dữ liệu thời điểm có sẵn. Nói một biện pháp dễ hiểu, CL thể hiện cho số xung nhịp mà thanh RAM buộc phải trải qua để phản hồi lại tín hiệu từ CPU.
Độ trễ này xẩy ra khi
CPUgiao tiếp cùng với RAM và được xem bằng khoảng thời hạn giữa một yêu cầu thông tin đến cột bộ nhớ nơi tin tức được tàng trữ và tin tức có sẵn. Độ trễ được đo bằng đơn vị chu kỳ đồng hồ.
RAM tác động tới hiệu năng máy vi tính như cụ nào?
Cách kiểm soát độ trễ của RAM
Ngoài câu hỏi kiểm tra nhãn dán bên trên RAM ra thì bạn cũng có thể sử dụng một vài cách tiếp sau đây để check CAS Latency của RAM.
Sử dụng phần mềm CPU-ZSau khi cisnet.edu.vn xong, thiết lập bình thường.Mở phần mềm lên chọn tab Memory. Ở mục Timings nhìn vào CAS# Latency (CL).
Nhấn tổng hợp phím Windows + R, gõ cmd và dấn Enter.Chạy chiếc lệnh tiếp sau đây wmic memorychip get manufacturer, capacity, partnumber, speed, memorytype, devicelocator, formfactorCopy Part
Number và tìm kiếm quý hiếm này trên Google. Bằng phương pháp này cũng hoàn toàn có thể xem được độ trễ RAM laptop của bạn.
Vì CAS Latency là thông số thể hiện con số chu kỳ xung nhịp RAM quan trọng để RAM xuất dữ liệu được gọi bởi CPU nên chúng ta cũng có thể hiểu dễ dàng rằng RAM tất cả CAS 18 thì nó nên 18 chu kỳ xung nhịp RAM để hoàn thành tác vụ này. Vày vậy, CAS Latency càng thấp thì sẽ càng tốt.
CL có thể được điện thoại tư vấn theo một số trong những cách khác nhau. Ví dụ, một thanh RAM bao gồm độ trễ CAS là 18, có thể được biểu thị là CAS 18 hoặc CL18.
Tuy nhiên, các bạn cần chú ý là nhì thanh RAM không giống nhau có cùng vận tốc truyền dữ liệu, ví dụ như DDR4-3200, rất có thể có thời hạn CAS khác nhau.
RAM G.SKILLcó độ trễ thấp hơn so cùng với RAM của Team Group. Với 1 tần số 3200MHz, sản phẩm bộ lưu trữ của G.SKILL chắc chắn rằng sẽ cung cấp thời gian ý kiến nhanh hơn.Độ trễ và tốc độ xung nhịp trong RAMBạn hoàn toàn có thể hình dung RAM trên laptop như một đường cao tốc và số lượng thanh RAM đại diện cho những làn đường trên đường cao tốc đó. Trường hợp như kích thước RAM khẳng định số lượng xe rất có thể tham gia trên từng làn đường tại một thời điểm, vận tốc của RAM là giới hạn vận tốc trên mặt đường cao tốc.
Bạn rất có thể mở thêm làn đường trên phố cao tốc bằng cách lắp thêm các thanh RAM, vấn đề đó làm tăng thêm số làn của mặt đường cao tốc. Nhưng nếu như khách hàng không thể đổi khác được giới hạn tốc độ trên đường, bạn sẽ không tạo nên PC của bản thân mình chạy cấp tốc hơn. Lúc đó, bạn phải tăng tốc độ xung nhịp của RAM.
Tuy nhiên, độ trễ thực thụ của RAM hoàn toàn có thể được tính như sau:
(Độ trễ CAS/tốc độ xung nhịp RAM) x 2000 = độ trễ tính bởi nano giây (ns)
Vì vậy, CAS Latency RAM cao hơn nữa vẫn có thể gây ra độ trễ tổng thể cao hơn ngay cả khi chúng ta tăng vận tốc xung nhịp RAM. Điều này đồng nghĩa tương quan là độ trễ RAM rất đặc trưng khi so sánh những RAM bao gồm cùng dung lượng và tốc độ.
Hiện nay,RAM DDR4là loại bộ lưu trữ phổ trở thành nhất trên máy tính xách tay hiện đại. Tuy nhiên, chuẩn bộ lưu trữ này lại có độ trễ CAS cao hơn nữa so cùng với tiêu chuẩn bộ lưu trữ thế hệ cũ. Ví dụ, RAM DDR3 thông thường sẽ có độ trễ CAS là 9 hoặc 10 trong lúc DDR4 sẽ có độ trễ CAS ít nhất là 15. Mặc dù nhiên, do tốc độ xung nhịp nhanh hơn, RAM đời mới vẫn có hiệu suất xuất sắc hơn về tổng thể.
RAS to lớn CAS Delay (t
RCD)
RAS to CAS Delay (t
RCD) là đỗ trệ có thể có giữa các vận động đọc/ghi. Vì những mô-đun RAM sử dụng thiết kế lưới để tấn công địa chỉ, giao điểm của các hàng và cột biểu hiện một địa chỉ ô nhớ.
t
RCD là số chu kỳ đồng hồ tối thiểu cần thiết để mở một hàng và truy vấn vào một cột. Thời gian để phát âm bit bộ lưu trữ đầu tiên từ bỏ DRAM mà không có bất kỳ hàng nào đang hoạt động sẽ làm tăng cường độ trễ: t
RCD + CL.
Ngoài ra t
RCD có thể được xem là thời gian về tối thiểu nhằm RAM đi đến showroom mới.
Row Pre
Charge Time (t
RP)
t
RP đo độ trễ giữa những việc đóng một hàng với mở một hàng mới. Trong trường hợp mở sai hàng (page miss) thì buộc phải đóng hàng đó (precharging) cùng mở sản phẩm tiếp theo.
Chỉ sau thời điểm precharging, cột trang hàng tiếp theo mới rất có thể được truy vấn cập. Bởi vậy thời hạn trễ bị tạo thêm thành: t
RP + t
RCD +CL.
Xem thêm: 50+ Mẫu Hình Xăm Đẹp Nam Ở Tay Đẹp Cho Nam Và Nữ, Những Hình Xam Tay Đẹp Nhất Dành Cho Nam Và Nữ
Row Active Time (t
RAS)
Còn được nghe biết là Activate to lớn Precharge Delay hoặc Minimum RAS Active Time, t
RAS là số chu kỳ đồng hồ tối thiểu cần thiết giữa lệnh kích hoạt một hàng với lệnh precharge.
Trong các mô-đun SDRAM, giá trị của t
RAS được xem bằng t
RCD + CL. Kế bên ra, ở một số trong những trường hợp, nó cũng có thể xấp xỉ t
RCD + 2x
CL.
t
RAS đo số chu kỳ tối thiểu mà một hàng phải gia hạn mở nhằm ghi dữ liệu đúng cách.
Khi mày mò về các thông số RAM, những người hoàn toàn có thể không biết CAS Latency là gì. Bài viết dưới đây sẽ giải thích cho chính mình về thông số này để giúp bạn đọc nó quan trọng như núm nào lúc chọn sở hữu RAM cho máy tính.
Bạn đã xem: Cas 15 vs cas 16 là gì
Khi cisnet.edu.vn RAM, bạn sẽ thấy bao gồm một vài thông số như tần số (MHz), dung lượng (GB) và độ trễ (CLxx-xx-xx-xx với xx là các con số). Chúng ta vẫn thường review hiệu suất của RAM dựa trên tần số xung nhịp. Vì vậy, nếu như khách hàng có nhị thanh RAM khác nhau có xung nhịp lần lượt là 2133Mhz cùng 2400Mhz thì bạn có thể nghĩ rằng RAM 2400MHz sẽ cấp tốc hơn. Mặc dù nhiên, vận tốc RAM còn phụ thuộc vào vào thông số kỹ thuật độ trễ (CL giỏi CAS Latency) nữa. Vậy CAS Latency là gì? thông số này có ảnh hưởng thế làm sao đến năng suất RAM?
CAS Latency là gì?
CAS Latency (CL) là viết tắt của Column Address Strobe Latency, có nghĩa là độ trễ vào chu kỳ đồng hồ đeo tay giữa lệnh READ với dữ liệu thời khắc có sẵn. Độ trễ này xẩy ra khi CPU giao tiếp với RAM và được tính bằng khoảng thời gian giữa một yêu thương cầu tin tức đến cột bộ nhớ lưu trữ nơi thông tin được lưu trữ và tin tức có sẵn. Độ trễ được đo bằng chu kỳ đồng hồ.
Độ trễ CAS càng rẻ càng tốt
Vì CAS Latency là thông số kỹ thuật thể hiện số lượng chu kỳ xung nhịp RAM cần thiết để RAM xuất dữ liệu được gọi bởi vì CPU nên chúng ta cũng có thể hiểu dễ dàng rằng RAM bao gồm CAS 16 thì nó phải 16 chu kỳ luân hồi xung nhịp RAM để hoàn thành tác vụ này. Vị vậy, CAS Latency càng thấp thì sẽ càng tốt. Mặc dù nhiên, CL hoàn toàn có thể được gọi theo một số cách không giống nhau. Ví dụ, một bộ RAM có độ trễ CAS là 16, có thể được trình bày là CAS 16 hoặc CL16.
CAS Latency tất cả phải là 1 trong yếu tố quan trọng khi chọn RAM?
Câu vấn đáp ngắn gọn là có. Bạn có thể hình dung RAM trên laptop như một đường đường cao tốc và số lượng thanh RAM thay mặt đại diện cho những làn mặt đường trên đường cao tốc đó. Nếu như như form size RAM xác minh số lượng xe hoàn toàn có thể tham gia trên từng làn đường tại 1 thời điểm, tốc độ của RAM là giới hạn tốc độ trên mặt đường cao tốc.
Bạn rất có thể mở thêm làn đường trên phố cao tốc bằng phương pháp lắp thêm các thanh RAM, vấn đề đó làm tăng lên số làn của mặt đường cao tốc. Nhưng nếu bạn không thể biến hóa được giới hạn tốc độ trên đường, bạn sẽ không khiến cho PC của bản thân chạy cấp tốc hơn. Lúc đó, bạn cần tăng tốc độ xung nhịp của RAM.
Tuy nhiên, độ trễ thực sự của RAM rất có thể được tính như sau:
(Độ trễ CAS/tốc độ xung nhịp RAM) x 2000 = độ trễ tính bằng nano giây (ns)
Vì vậy, CAS Latency RAM cao hơn vẫn có thể gây ra độ trễ toàn diện và tổng thể cao hơn ngay cả khi bạn tăng vận tốc xung nhịp RAM. Điều này có nghĩa là độ trễ RAM rất đặc biệt khi so sánh các bộ nhớ có cùng dung lượng và tốc độ.
Hiện nay, RAM DDR4 là loại bộ nhớ phổ vươn lên là nhất trên máy vi tính hiện đại. Tuy nhiên, chuẩn bộ nhớ lưu trữ này lại sở hữu độ trễ CAS cao hơn nữa so cùng với tiêu chuẩn bộ lưu trữ thế hệ cũ. Ví dụ, RAM DDR3 thường có độ trễ CAS là 9 hoặc 10 trong khi DDR4 sẽ có được độ trễ CAS tối thiểu là 15. Mặc dù nhiên, do tốc độ xung nhịp cấp tốc hơn, tiêu chuẩn mới hơn bao gồm hiệu suất xuất sắc hơn về tổng thể.
Làm cố nào để kiểm tra CAS Latency của RAM?
Phần mượt CPU-Z
Vậy làm nạm nào bạn sẽ xác định độ trễ CAS của thanh RAM trên đồ vật tính? nhiều mô-đun bộ nhớ có thể không được in trực tiếp thông số kỹ thuật này. Chũm vào đó, nó rất có thể được nhắc trong trang chủ ở trong phòng sản xuất.
Như vậy, FPT cửa hàng đã chia sẻ cho bạn CAS Latency là gì vàcác tin tức về CAS Latency của RAM. Nếu khách hàng có bất cứ thắc mắc nào khác tương quan đến RAM máy vi tính thì đừng rụt rè để lại dấn xét vào phần comment dưới nội dung bài viết nhé.
Hiệu suất bộ lưu trữ (DRAM) là toàn bộ về quan hệ giữa xung nhịp với độ trễ (lacenty). Tuy vậy cả hai gồm liên quan chặt chẽ với nhau, nhưng bọn chúng không được kết nối theo cách mà người dùng rất có thể nghĩ. Đây là tin tức mà xung nhịp và độ trễ có liên quan ở cấp độ kỹ thuật - và cách tín đồ dùng rất có thể sử dụng thông tin này để tối ưu hóa hiệu suất bộ nhớ của mình.
Nhận thức về độ trễ
Nhiều người tiêu dùng tin rằng độ trễ CAS của bộ lưu trữ là một chỉ số chính xác mang lại hiệu suất của độ trễ trong vận dụng thực tế.Nhiều người dùng cũng tin rằng vì độ trễ CAS tăng nên chính vì như vậy tốc độ cũng trở thành không tăng ngày một nhiều đều.
Sự thật về độ trễ
Khi tốc độ tăng ( xung nhịp ), độ trễ thực sự bớt và / hoặc vẫn giữ nguyên, có nghĩa là tốc độ cấp tốc ( xung nhịp ) hơn mang đến hiệu suất tốt hơn.
Sự khác hoàn toàn giữa nhận thức về độ trễ ( lacenty ) và độ trễ thực sự ( true lacenty) dựa vào vào cường độ trễ được xác định ở phép giám sát và đo lường cuối cùng.
Định nghĩa đúng về độ trễ cùng phương trình độ trễ
Ở nấc cơ bản, độ trễ đề cập cho độ trễ giữa thời than lúc lệnh được nhập cùng được thực thi. Bởi độ trễ là tất cả về khoảng thời hạn này, điều đặc trưng là đề xuất hiểu điều gì xảy ra sau khoản thời gian lệnh được chuyển ra. Khi bộ điều khiển bộ nhớ lưu trữ yêu ước RAM truy vấn vào một vị trí cầm thể, dữ liệu phải trải qua một trong những chu kỳ xung nhịp vào Column Address Strobe để đến vị trí mong muốn của nó và dứt lệnh. Cùng với ý nghĩ này, có hai biến khẳng định độ trễ của mô-đun:
Tổng số chu kỳ luân hồi xung nhịp mà tài liệu phải trải qua (được đo bằng Độ trễ CAS hoặc CL, trên những bảng dữ liệu)Thời lượng của mỗi chu kỳ xung nhịp (tính bằng nano giây)Kết vừa lòng hai đổi mới này cho bọn họ phương chuyên môn trễ:độ trễ thực ( ns ) = thời hạn chu kỳ xung nhịp ( ns ) x số chu kỳ luân hồi xung nhịp ( CL )
Nghịch lý độ trễ
Độ trễ hay bị gọi nhầm cũng chính vì trên những tờ rơi thành phầm và so sánh thông số kỹ thuật kỹ thuật, nó được ghi chú trong CL, chỉ bằng một nửa phương trình độ chuyên môn trễ. Vị xếp hạng CL chỉ cho thấy thêm tổng số chu kỳ luân hồi xung nhịp, phải chúng không liên quan gì đến thời lượng của mỗi chu kỳ luân hồi xung nhịp, bởi vì đó, chúng không nên được ngoại suy như là chỉ số duy nhất về hiệu suất trễ.
Bằng bí quyết xem xét độ trễ của mô-đun về mặt nano giây, fan dùng rất có thể đánh giá tốt nhất có thể nếu trên thực tế, một mô-đun có phản ứng nhanh hơn mô-đun khác. Để tính độ trễ đích thực của mô-đun, nhân thời lượng chu kỳ luân hồi xung nhịp cùng với tổng số chu kỳ xung nhịp. Những con số này sẽ tiến hành ghi chú trong tư liệu kỹ thuật thừa nhận trên bảng tài liệu của mô-đun. Hãy coi xét bên dưới:
Trong lịch sử công nghệ bộ nhớ, khi xung nhịp tăng, thời gian chu kỳ xung nhịp giảm, dẫn đến độ trễ thực thụ thấp hơn khi technology đã trả thiện, khoác dù có không ít chu kỳ xung nhịp hơn nhằm hoàn thành. Chưa dừng lại ở đó nữa, vày xung nhịp đang tạo thêm và độ trễ đích thực vẫn gần như nhau, tín đồ dùng rất có thể đạt được mức năng suất cao hơn bằng phương pháp sử dụng bộ nhớ lưu trữ mới hơn, cấp tốc hơn và tiết kiệm năng lượng hơn.
Tại thời điểm này trong cuộc thảo luận, bọn họ cần chú ý rằng khi họ nói độ trễ thực sự vẫn gần như là nhau, thì có nghĩa là từ DDR3-1333 mang lại DDR4-2666 (khoảng xung nhịp của bộ nhớ lưu trữ hiện đại), độ trễ thực sự bước đầu từ 13,5ns với trở về 13,5ns. Tuy nhiên có một trong những trường vừa lòng trong phạm vi này lúc độ trễ thực thụ tăng lên, nấc tăng có được bằng phân số của một nano giây. Trong cùng khoảng chừng này, vận tốc đã tăng hơn 1.300 MT / giây, bù lại tác dụng của bất kỳ mức tăng cường mức độ trễ quan sát và theo dõi nào. Về tối ưu hóa khối hệ thống của bọn chúng ta bằng cách cài để càng nhiều bộ nhớ lưu trữ càng tốt, thực hiện công nghệ bộ nhớ lưu trữ mới nhất cùng chọn những mô-đun với xung nhịp càng công dụng và / hoặc phù hợp với các ứng dụng vẫn sử dụng.
